STGP4M65DF2

功能描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS

制造商:stmicroelectronics

系列:M

零件状态:在售

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):650V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):16A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,4A

功率 - 最大值:68W

开关能量:40μJ(开),136μJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:15.2nC

25°C 时 Td(开/关)值:12ns/86ns

测试条件:400V,4A,47 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):133ns

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

标准包装:50

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